Datasheet Texas Instruments CSD18536KTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18536KTT |

60 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 29 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
CSD18536KTT Texas Instruments | от 469 ₽ | ||
CSD18536KTT Texas Instruments | 539 ₽ | ||
CSD18536KTT Texas Instruments | от 2 477 ₽ | ||
CSD18536KTT Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | KTT | KTT |
Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD18536KTT | CSD18536KTT |
Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18536KTT![]() | CSD18536KTTT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 349 | 349 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
QG Typ, nC | 108 | 108 |
QGD Typ, nC | 14 | 14 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.7 | 1.7 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.6 | 1.6 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.2 | 2.2 |
VDS, В | 60 | 60 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.8 | 1.8 |
Экологический статус
CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18536KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor