Datasheet Texas Instruments CSD18536KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18536KTT |
60 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2016
Выписка из документа
Статус
| CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | KTT | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 | 50 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18536KTT | CSD18536KTT |
| Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD18536KTT | CSD18536KTTT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 349 | 349 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
| QG Typ, nC | 108 | 108 |
| QGD Typ, nC | 14 | 14 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.7 | 1.7 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.6 | 1.6 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.2 | 2.2 |
| VDS, В | 60 | 60 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 1.8 | 1.8 |
Экологический статус
| CSD18536KTT | CSD18536KTTT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18536KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
