Datasheet Texas Instruments CSD18543Q3A — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18543Q3A |

60V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18543Q3A 60-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 403 Кб, Файл опубликован: 9 дек 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 37 предложений от 16 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке | |||
CSD18543Q3A Texas Instruments | 18 ₽ | ||
CSD18543Q3A Texas Instruments | от 30 ₽ | ||
CSD18543Q3A Texas Instruments | 38 ₽ | ||
CSD18543Q3A Texas Instruments | 76 ₽ |
Статус
CSD18543Q3A | CSD18543Q3AT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18543Q3A | CSD18543Q3AT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNH | DNH |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | 18543 | 18543 |
Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
Thickness (мм) | .8 | .8 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18543Q3A![]() | CSD18543Q3AT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 60 | 60 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 156 | 156 |
Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
QG Typ, nC | 11.1 | 11.1 |
QGD Typ, nC | 1.7 | 1.7 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 12.0 | 12.0 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 9.9 | 9.9 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 15.6 | 15.6 |
VDS, В | 60 | 60 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 2.0 | 2.0 |
Экологический статус
CSD18543Q3A | CSD18543Q3AT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD18543Q3A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor