Datasheet Texas Instruments CSD19505KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19505KTT |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD19505KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 402 Кб, Файл опубликован: 3 мар 2016
Выписка из документа
Статус
| CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | KTT | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 | 50 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19505KTT | CSD19505KTT |
| Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19505KTT | CSD19505KTTT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 212 | 212 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
| QG Typ, nC | 76 | 76 |
| QGD Typ, nC | 11 | 11 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 3.1 | 3.1 |
| VDS, В | 80 | 80 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.6 | 2.6 |
Экологический статус
| CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19505KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
