Datasheet Texas Instruments CSD19506KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19506KTT |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 403 Кб, Файл опубликован: 8 мар 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19506KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 211 до 12 869 ₽21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
| CSD19506KTT Texas Instruments | 211 ₽ | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | 462 ₽ | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | от 538 ₽ | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | от 12 869 ₽ | ||
Статус
| CSD19506KTT | CSD19506KTTT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19506KTT | CSD19506KTTT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | KTT | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 | 50 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19506KTT | CSD19506KTT |
| Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19506KTT | CSD19506KTTT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 291 | 291 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
| QG Typ, nC | 120 | 120 |
| QGD Typ, nC | 20 | 20 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 2.3 | 2.3 |
| VDS, В | 80 | 80 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.5 | 2.5 |
Экологический статус
| CSD19506KTT | CSD19506KTTT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19506KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
