Datasheet Texas Instruments CSD19532KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19532KTT |
100 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 367 Кб, Файл опубликован: 27 окт 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19532KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 743 ₽27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK | |||
| CSD19532KTT Texas Instruments | 91 ₽ | ||
| CSD19532KTT Texas Instruments | 117 ₽ | ||
| CSD19532KTT Texas Instruments | 129 ₽ | ||
| CSD19532KTT Texas Instruments | 743 ₽ | ||
Статус
| CSD19532KTT | CSD19532KTTT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19532KTT | CSD19532KTTT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | KTT | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 | 50 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19532KTT | CSD19532KTT |
| Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19532KTT | CSD19532KTTT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 136 | 136 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
| QG Typ, nC | 44 | 44 |
| QGD Typ, nC | 17 | 17 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 5.6 | 5.6 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.6 | 2.6 |
Экологический статус
| CSD19532KTT | CSD19532KTTT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19532KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
