Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19532Q5B |
100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFETВ™ Power MOSFET
Datasheets
CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 13 июн 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19532Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 426 ₽40 предложений от 16 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A | |||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | 65 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 80 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 93 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 215 ₽ | ||
Статус
| CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DNK | DNK |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19532 | CSD19532 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 5 | 5 |
| Thickness (мм) | .95 | .95 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 140 | 140 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 48 | 48 |
| QGD Typ, nC | 8.7 | 8.7 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 4.9 | 4.9 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.6 | 2.6 |
Экологический статус
| CSD19532Q5B | CSD19532Q5BT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19532Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
