Datasheet Texas Instruments CSD19533Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19533Q5A |
100V, 7.8mOhm, SON5x6 N-Channel NexFETВ™ Power MOSFET
Datasheets
CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 768 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 23 май 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19533Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 988 ₽29 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | от 52 ₽ | ||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | 140 ₽ | ||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | 274 ₽ | ||
| CSD19533Q5A SON 5x6mm TI | 405 ₽ | ||
Статус
| CSD19533Q5A | CSD19533Q5AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19533Q5A | CSD19533Q5AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQJ | DQJ |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19533 | CSD19533 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19533Q5A | CSD19533Q5AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 75 | 75 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 231 | 231 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 27 | 27 |
| QGD Typ, nC | 4.9 | 4.9 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 9.5 | 9.5 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.8 | 2.8 |
Экологический статус
| CSD19533Q5A | CSD19533Q5AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19533Q5A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
