Datasheet Texas Instruments CSD19534Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19534Q5A |
100 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD19534Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 368 Кб, Файл опубликован: 9 май 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19534Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 953 ₽30 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм | |||
| CSD19534Q5A Texas Instruments | 48 ₽ | ||
| CSD19534Q5A Texas Instruments | 95 ₽ | ||
| CSD19534Q5A Texas Instruments | от 97 ₽ | ||
| CSD19534Q5A Texas Instruments | 953 ₽ | ||
Статус
| CSD19534Q5A | CSD19534Q5AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19534Q5A | CSD19534Q5AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQJ | DQJ |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19534 | CSD19534 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19534Q5A | CSD19534Q5AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 44 | 44 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 137 | 137 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 17 | 17 |
| QGD Typ, nC | 3.2 | 3.2 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 15.1 | 15.1 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.8 | 2.8 |
Экологический статус
| CSD19534Q5A | CSD19534Q5AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19534Q5A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
