Datasheet Texas Instruments CSD19536KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19536KTT |
CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 авг 2016
Выписка из документа
Статус
| CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | KTT | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 | 50 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19536KTT | CSD19536KTT |
| Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19536KTT | CSD19536KTTT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 272 | 272 |
| ID, package limited, A | 200 | 200 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
| QG Typ, nC | 118 | 118 |
| QGD Typ, nC | 17 | 17 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 2.4 | 2.4 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.5 | 2.5 |
Экологический статус
| CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19536KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
