Datasheet Texas Instruments CSD19537Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19537Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 100 В
Datasheets
CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 504 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 31 май 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19537Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 227 ₽43 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 50А, 83Вт, VSON-CLIP8 | |||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | от 43 ₽ | ||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | 89 ₽ | ||
| CSD19537Q3T Texas Instruments | от 182 ₽ | ||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | 227 ₽ | ||
Статус
| CSD19537Q3 | CSD19537Q3T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19537Q3 | CSD19537Q3T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQG | DQG |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19537 | CSD19537 |
| Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19537Q3 | CSD19537Q3T |
|---|---|---|
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 53 | 53 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 219 | 219 |
| Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
| QG Typ, nC | 16 | 16 |
| QGD Typ, nC | 2.9 | 2.9 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 14.5 | 14.5 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 3.0 | 3.0 |
Экологический статус
| CSD19537Q3 | CSD19537Q3T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19537Q3 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
