Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19538Q3A |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 100 В
Datasheets
CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 352 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 мар 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19538Q3A на РадиоЛоцман.Цены — от 6.82 до 419 ₽34 предложений от 17 поставщиков CSD19538Q3A 100В 15А Q3A VSON-8 N-канал TEXAS INSTR транзистор | |||
| CSD19538Q3A Texas Instruments | от 22 ₽ | ||
| CSD19538Q3A Texas Instruments | 28 ₽ | ||
| CSD19538Q3A Texas Instruments | 31 ₽ | ||
| CSD19538Q3A Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD19538Q3A | CSD19538Q3AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19538Q3A | CSD19538Q3AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DNH | DNH |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 19538 | 19538 |
| Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (мм) | .8 | .8 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19538Q3A | CSD19538Q3AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 13.7 | 13.7 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 36 | 36 |
| Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
| QG Typ, nC | 4.3 | 4.3 |
| QGD Typ, nC | 0.8 | 0.8 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 61 | 61 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 3.2 | 3.2 |
Экологический статус
| CSD19538Q3A | CSD19538Q3AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19538Q3A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
