Datasheet Texas Instruments CSD23202W10 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD23202W10 |
CSD23202W10 Силовой МОП-транзистор NexFET™ с P-каналом, 12 В
Datasheets
CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 435 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD23202W10 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.97 до 788 ₽37 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 2.2 А, 0.044 Ом, DSBGA, Surface Mount | |||
| CSD23202W10 Texas Instruments | от 3.97 ₽ | ||
| CSD23202W10 Texas Instruments | 10 ₽ | ||
| CSD23202W10 Texas Instruments | 25 ₽ | ||
| CSD23202W10T Texas Instruments | 53 ₽ | ||
Статус
| CSD23202W10 | CSD23202W10T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD23202W10 | CSD23202W10T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 4 | 4 |
| Package Type | YZB | YZB |
| Industry STD Term | DSBGA | DSBGA |
| JEDEC Code | S-XBGA-N | S-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 202 | 202 |
| Thickness (мм) | .65 | .65 |
| Pitch (мм) | .5 | .5 |
| Max Height (мм) | .625 | .625 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD23202W10 | CSD23202W10T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| Id Max Cont, A | -2.2 | -2.2 |
| Id Peak(Max), A | -25 | -25 |
| Корпус, мм | WLP 1.0x1.0 | WLP 1.0x1.0 |
| QG Typ, nC | 2.9 | 2.9 |
| QGD Typ, nC | 0.28 | 0.28 |
| QGS Typ, nC | 0.55 | 0.55 |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V, mOhms | 92 | 92 |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V, mOhms | 66 | 66 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 53 | 53 |
| VDS, В | -12 | -12 |
| VGS, В | -6 | -6 |
| VGSTH Typ, В | -0.6 | -0.6 |
Экологический статус
| CSD23202W10 | CSD23202W10T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD23202W10 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> P-Channel MOSFET Transistor
