Datasheet Texas Instruments CSD23382F4 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD23382F4 |

P-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet
PDF, 755 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 20 окт 2014
Выписка из документа
Цены
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт | |||
CSD23382F4 Texas Instruments | 6.44 ₽ | ||
CSD23382F4 Texas Instruments | от 8.66 ₽ | ||
CSD23382F4 Texas Instruments | от 12 ₽ | ||
CSD23382F4 Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | YJC | YJC |
Package QTY | 3000 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | EM | EM |
Width (мм) | .635 | .635 |
Length (мм) | 1.035 | 1.035 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD23382F4![]() | CSD23382F4T![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
Id Max Cont, A | -3.5 | -3.5 |
Id Peak(Max), A | -22 | -22 |
Корпус, мм | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x1.0 |
QG Typ, nC | 1.04 | 1.04 |
QGD Typ, nC | 0.15 | 0.15 |
QGS Typ, nC | 0.5 | 0.5 |
Rds(on) Max at VGS=1.8V, mOhms | 199 | 199 |
Rds(on) Max at VGS=2.5V, mOhms | 105 | 105 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 76 | 76 |
VDS, В | -12 | -12 |
VGS, В | -8 | -8 |
VGSTH Typ, В | -0.8 | -0.8 |
Экологический статус
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD23382F4 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> P-Channel MOSFET Transistor