Datasheet Texas Instruments CSD83325L — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD83325L |
![Datasheet Texas Instruments CSD83325L](http://www.ti.com/graphics/folders/partimages/CSD83325L.jpg)
CSD83325L, Dual N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs
Datasheets
CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 1.2 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 16 фев 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 18 предложений от 11 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 12В 8A | |||
CSD83325L Texas Instruments | 21 ₽ | ||
CSD83325L Texas Instruments | 21 ₽ | ||
CSD83325L Texas Instruments | 21 ₽ | ||
CSD83325L Texas Instruments | от 88 ₽ |
Статус
CSD83325L | CSD83325LT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD83325L | CSD83325LT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 6 | 6 |
Package Type | YJE | YJE |
Package QTY | 3000 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | 83325L | 83325L |
Width (мм) | 2.16 | 2.16 |
Length (мм) | 1.11 | 1.11 |
Thickness (мм) | .2 | .2 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD83325L![]() | CSD83325LT![]() |
---|---|---|
Configuration | Dual | Dual |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 52 | 52 |
Корпус, мм | LGA | LGA |
QG Typ, nC | 8.4 | 8.4 |
QGD Typ, nC | 1.9 | 1.9 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 4.9 | 4.9 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 5.9 | 5.9 |
VDS, В | 12 | 12 |
VGS, В | 10 | 10 |
VGSTH Typ, В | 0.95 | 0.95 |
Экологический статус
CSD83325L | CSD83325LT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD83325L (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor