Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD87312Q3E |

Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В
Datasheets
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2011
Выписка из документа
Цены
![]() 26 предложений от 14 поставщиков Полупроводники - Дискретные | |||
CSD87312Q3E Texas Instruments | от 20 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | от 36 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | 96 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | Анонсирован |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DPB | DPB |
Package QTY | 2500 | |
Carrier | LARGE T&R | |
Маркировка | 87312E | |
Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
Thickness (мм) | .9 | .9 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD87312Q3E![]() | CSD87312Q3E-ASY![]() |
---|---|---|
Approx. Price (US$) | 0.35 | 1ku | |
Configuration | Dual Common Source | Dual Common Source |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 27 | |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 45 | |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A) | 45 | |
Корпус, мм | SON3x3 | |
Package (mm) | SON3x3 | |
QG Typ, nC | 6.3 | |
QG Typ(nC) | 6.3 | |
QGD Typ, nC | 0.7 | |
QGD Typ(nC) | 0.7 | |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 31 | |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm) | 31 | |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 38 | |
Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms) | 38 | |
VDS, В | 30 | |
VDS(V) | 30 | |
VGS, В | 10 | |
VGS(V) | 10 | |
VGSTH Typ, В | 1 | |
VGSTH Typ(V) | 1 |
Экологический статус
CSD87312Q3E | CSD87312Q3E-ASY | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Не совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Нет |
Модельный ряд
Серия: CSD87312Q3E (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor