Datasheet Texas Instruments INA217 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | INA217 |

Замена малошумящего инструментального усилителя с низким уровнем искажений для SSM2017
Datasheets
INA217 Low-Noise, Low-Distortion Instrumentation Amplifier Replacement for SSM2017 datasheet
PDF, 960 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 8 апр 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 55 предложений от 29 поставщиков Микросхема Усилитель прибора, Low Noise, Low-Distortion Instrumentation Amplifier eplacement for SSM2017 8-PDIP -40℃ to 85℃ | |||
INA217AIDWR Texas Instruments | от 267 ₽ | ||
INA217AIP | 926 ₽ | ||
INA217AIDWR Texas Instruments | по запросу | ||
INA217AID Texas Instruments | по запросу |
Статус
INA217AIDWR | INA217AIDWT | INA217AIDWTE4 | INA217AIP | INA217AIPG4 | |
---|---|---|---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Да | Нет | Нет | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
INA217AIDWR | INA217AIDWT | INA217AIDWTE4 | INA217AIP | INA217AIPG4 | |
---|---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
Pin | 16 | 16 | 16 | 8 | 8 |
Package Type | DW | DW | DW | P | P |
Industry STD Term | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP | PDIP |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDIP-T | R-PDIP-T |
Package QTY | 2000 | 250 | 250 | 50 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R | SMALL T&R | TUBE | TUBE |
Маркировка | INA217 | INA217 | INA217 | INA217 | INA217 |
Width (мм) | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 6.35 | 6.35 |
Length (мм) | 10.3 | 10.3 | 10.3 | 9.81 | 9.81 |
Thickness (мм) | 2.35 | 2.35 | 2.35 | 3.9 | 3.9 |
Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 2.65 | 2.65 | 2.65 | 5.08 | 5.08 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | INA217AIDWR![]() | INA217AIDWT![]() | INA217AIDWTE4![]() | INA217AIP![]() | INA217AIPG4![]() |
---|---|---|---|---|---|
Bandwidth at Min Gain(Typ), МГц | 3.4 | 3.4 | 3.4 | 3.4 | 3.4 |
CMRR(Min), дБ | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Gain Error (+/-)(Max), % | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
Gain Non-Linearity (+/-)(Max), % | 0.0006 | 0.0006 | 0.0006 | 0.0006 | 0.0006 |
Gain(Max), V/V | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 |
Gain(Min), V/V | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
Input Bias Current (+/-)(Max), нА | 12000 | 12000 | 12000 | 12000 | 12000 |
Input Offset (+/-)(Max), uV | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 |
Input Offset Drift (+/-)(Max), uV/C | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
Iq(Typ), мА | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
Noise at 0.1 Hz - 10 Hz(Typ), uVpp | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
Noise at 1kHz(Typ)(nV/rt, Hz | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
Количество каналов | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125,-40 до 85 | от -40 до 125,-40 до 85 | от -40 до 125,-40 до 85 | от -40 до 125,-40 до 85 | от -40 до 125,-40 до 85 |
Package Group | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP | PDIP |
Package Size: mm2:W x L, PKG | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | See datasheet (PDIP) | See datasheet (PDIP) |
Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
Vs(Max), В | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 |
Vs(Min), В | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 |
Экологический статус
INA217AIDWR | INA217AIDWT | INA217AIDWTE4 | INA217AIP | INA217AIPG4 | |
---|---|---|---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: INA217 (5)
Классификация производителя
- Semiconductors> Amplifiers> Instrumentation Amplifiers