Datasheet Texas Instruments ISO5851 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | ISO5851 |
Усиленный изолированный драйвер затвора IGBT с высоким CMTI и зажимом Миллера
Datasheets
ISO5851 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features datasheet
PDF, 1.5 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 16 янв 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить ISO5851 на РадиоЛоцман.Цены — от 180 до 1 438 ₽31 предложений от 16 поставщиков Драйвер МОП-транзистора и БТИЗ, AEC-Q100, 3В до 5.5В питание, 2.5А и 5А выход, 110нс задержка | |||
| ISO5851DWR Texas Instruments | от 665 ₽ | ||
| ISO5851DWR Texas Instruments | от 666 ₽ | ||
| ISO5851DW Texas Instruments | от 1 025 ₽ | ||
| ISO5851QDWRQ1 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| ISO5851DW | ISO5851DWR | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| ISO5851DW | ISO5851DWR | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 16 | 16 |
| Package Type | DW | DW |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 40 | 2000 |
| Carrier | TUBE | LARGE T&R |
| Маркировка | ISO5851 | ISO5851 |
| Width (мм) | 7.5 | 7.5 |
| Length (мм) | 10.3 | 10.3 |
| Thickness (мм) | 2.35 | 2.35 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 2.65 | 2.65 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | ISO5851DW | ISO5851DWR |
|---|---|---|
| DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage, Vpk | 2121 | 2121 |
| DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating, Vpk | 8000 | 8000 |
| Enable/Disable Function | N/A | N/A |
| Input VCC(Max), В | 5.5 | 5.5 |
| Input VCC(Min), В | 3 | 3 |
| Isolation Rating, Vrms | 5700 | 5700 |
| Количество каналов | 1 | 1 |
| Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 |
| Output VCC/VDD(Max), В | 30 | 30 |
| Output VCC/VDD(Min), В | 15 | 15 |
| Package Group | SOIC | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) |
| Peak Output Current, A | 5 | 5 |
| Power Switch | IGBT,SiCFET | IGBT,SiCFET |
| Prop Delay, нс | 76 | 76 |
| Prop Delay(Max), нс | 110 | 110 |
Экологический статус
| ISO5851DW | ISO5851DWR | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Application Notes
- Common-mode transient immunity for isolated gate driversPDF, 152 Кб, Файл опубликован: 30 окт 2015
- Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technologyPDF, 147 Кб, Файл опубликован: 30 окт 2015
- 4Q 2015 Analog Applications JournalPDF, 1.6 Мб, Файл опубликован: 30 окт 2015
- Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component FinishesPDF, 1.3 Мб, Файл опубликован: 24 май 2004
The integrated circuit (IC) industry is converting to lead (Pb)-free termination finishes for leadframe-based packages. IC component users need to know the maximum length of time that components can be stored prior to being soldered. This study predicts shelf life of the primary Pb-free finishes being proposed by the industry. Components were exposed to a controlled environment, with known aging a - Isolation GlossaryPDF, 52 Кб, Файл опубликован: 27 окт 2014
- Digital Isolator Design Guide (Rev. A)PDF, 487 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 4 ноя 2014
Модельный ряд
Серия: ISO5851 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Isolation> Isolated Gate Driver
