Datasheet Texas Instruments ISO5851-Q1 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | ISO5851-Q1 |
Автомобильный, изолированный IGBT, драйвер затвора MOSFET с высоким CMTI, 2,5 А/5 А, с функциями активной защиты
Datasheets
ISO5851-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features datasheet
PDF, 1.5 Мб, Версия: A, Файл опубликован: 22 дек 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить ISO5851 на РадиоЛоцман.Цены — от 180 до 1 438 ₽31 предложений от 16 поставщиков Драйвер МОП-транзистора и БТИЗ, AEC-Q100, 3В до 5.5В питание, 2.5А и 5А выход, 110нс задержка | |||
| ISO5851QDWRQ1 Rochester Electronics | от 180 ₽ | ||
| ISO5851QDWQ1 Texas Instruments | 212 ₽ | ||
| ISO5851DW Texas Instruments | 605 ₽ | ||
| ISO5851QDWRQ1 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| ISO5851QDWQ1 | ISO5851QDWRQ1 | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| ISO5851QDWQ1 | ISO5851QDWRQ1 | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 16 | 16 |
| Package Type | DW | DW |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 40 | 2000 |
| Carrier | TUBE | LARGE T&R |
| Маркировка | ISO5851Q | ISO5851Q |
| Width (мм) | 7.5 | 7.5 |
| Length (мм) | 10.3 | 10.3 |
| Thickness (мм) | 2.35 | 2.35 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 2.65 | 2.65 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | ISO5851QDWQ1 | ISO5851QDWRQ1 |
|---|---|---|
| DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage, Vpk | 2121 | 2121 |
| DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating, Vpk | 8000 | 8000 |
| Enable/Disable Function | N/A | N/A |
| Input VCC(Max), В | 5.5 | 5.5 |
| Input VCC(Min), В | 3 | 3 |
| Isolation Rating, Vrms | 5700 | 5700 |
| Количество каналов | 1 | 1 |
| Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 |
| Output VCC/VDD(Max), В | 30 | 30 |
| Output VCC/VDD(Min), В | 15 | 15 |
| Package Group | SOIC | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) |
| Peak Output Current, A | 5 | 5 |
| Power Switch | IGBT | IGBT |
| Prop Delay, нс | 110 | 110 |
| Prop Delay(Max), нс | 110 | 110 |
Экологический статус
| ISO5851QDWQ1 | ISO5851QDWRQ1 | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: ISO5851-Q1 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Isolation> Isolated Gate Driver
