Datasheet Texas Instruments ISO5852S-EP — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | ISO5852S-EP |
Изолированный IGBT с высоким CMTI 2,5 А/5 А, драйвер затвора МОП-транзистора
Datasheets
ISO5852S-EP High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features datasheet
PDF, 1.7 Мб, Файл опубликован: 23 дек 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить ISO5852S на РадиоЛоцман.Цены — от 118 до 36 732 ₽32 предложений от 16 поставщиков , High-CMTI 2.5A/5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃ | |||
| ISO5852SDWR Texas Instruments | 191 ₽ | ||
| ISO5852SDWR Texas Instruments | 351 ₽ | ||
| ISO5852SDWR Texas Instruments | от 743 ₽ | ||
| ISO5852SMDWREP Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| ISO5852SMDWREP | V62/16623-01XE | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| ISO5852SMDWREP | V62/16623-01XE | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 16 | 16 |
| Package Type | DW | DW |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2000 | 2000 |
| Carrier | LARGE T&R | LARGE T&R |
| Маркировка | ISO5852SM | ISO5852SM |
| Width (мм) | 7.5 | 7.5 |
| Length (мм) | 10.3 | 10.3 |
| Thickness (мм) | 2.35 | 2.35 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 2.65 | 2.65 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | ISO5852SMDWREP | V62/16623-01XE |
|---|---|---|
| DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage, Vpk | 2121 | 2121 |
| DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating, Vpk | 8000 | 8000 |
| Input VCC(Max), В | 5.5 | 5.5 |
| Input VCC(Min), В | 2.25 | 2.25 |
| Isolation Rating, Vrms | 5700 | 5700 |
| Количество каналов | 1 | 1 |
| Рабочий диапазон температур, C | от -55 до 125 | от -55 до 125 |
| Output VCC/VDD(Max), В | 30 | 30 |
| Output VCC/VDD(Min), В | 15 | 15 |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) |
| Peak Output Current, A | 5 | 5 |
| Power Switch | IGBT,SiCFET | IGBT,SiCFET |
| Prop Delay(Max), нс | 110 | 110 |
| Prop Delay(Min), нс | 76 | 76 |
Экологический статус
| ISO5852SMDWREP | V62/16623-01XE | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: ISO5852S-EP (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Space & High Reliability> Power Management Products> Power Management Special Function Products
