Datasheet Texas Instruments LF353-N — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | LF353-N |
Широкополосный операционный усилитель с двумя входами JFET
Datasheets
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier datasheet
PDF, 1.0 Мб, Версия: F, Файл опубликован: 25 мар 2013
Выписка из документа
Цены
 Купить LF353-N на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 301 ₽62 предложений от 31 поставщиков Операционный усилитель, 2 Усилителя, 4 МГц, 13 В/мкс, 10В до 36В, DIP, 8 вывод(-ов) | |||
| LF353(N,P) | от 17 ₽ | ||
| LF353N/NOPB Texas Instruments | от 175 ₽ | ||
| LF353N STMicroelectronics | по запросу | ||
| LF353N-NSC STMicroelectronics | по запросу | ||
Статус
| LF353M | LF353M/NOPB | LF353MX | LF353MX/NOPB | LF353N/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| Статус продукта | Не рекомендуется для новых разработок | В производстве | Не рекомендуется для новых разработок | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет | Да | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| LF353M | LF353M/NOPB | LF353MX | LF353MX/NOPB | LF353N/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| Pin | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Package Type | D | D | D | D | P |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDIP-T |
| Package QTY | 95 | 95 | 2500 | 2500 | 40 |
| Carrier | TUBE | TUBE | LARGE T&R | LARGE T&R | TUBE |
| Маркировка | LF353 | M | LF353 | LF353 | LF |
| Width (мм) | 3.91 | 3.91 | 3.91 | 3.91 | 6.35 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 | 4.9 | 4.9 | 9.81 |
| Thickness (мм) | 1.58 | 1.58 | 1.58 | 1.58 | 3.9 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 2.54 |
| Max Height (мм) | 1.75 | 1.75 | 1.75 | 1.75 | 5.08 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | LF353M | LF353M/NOPB | LF353MX | LF353MX/NOPB | LF353N/NOPB |
|---|---|---|---|---|---|
| Additional Features | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
| Архитектура | FET | FET | FET | FET | FET |
| CMRR(Min), дБ | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
| CMRR(Typ), дБ | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| GBW(Typ), МГц | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| Input Bias Current(Max), pA | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Iq per channel(Max), мА | 3.25 | 3.25 | 3.25 | 3.25 | 3.25 |
| Iq per channel(Typ), мА | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 |
| Количество каналов | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Offset Drift(Typ), uV/C | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Рабочий диапазон температур, C | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 |
| Output Current(Typ), мА | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Package Group | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) |
| Rail-to-Rail | In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ |
| Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| Slew Rate(Typ), V/us | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 |
| Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10 | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
Экологический статус
| LF353M | LF353M/NOPB | LF353MX | LF353MX/NOPB | LF353N/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| RoHS | See ti.com | Совместим | See ti.com | Совместим | Совместим |
Application Notes
- AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and SwitchesPDF, 80 Кб, Файл опубликован: 2 май 2004
Application Note 447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches - AN-262 Applying Dual and Quad FET Op Amps (Rev. B)PDF, 1.1 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
The availability of dual and quad packaged FET op amps offers the designer all the traditional capabilitiesof FET op amps including low bias current and speed and some additional advantages. The cost-peramplifieris lower because of reduced package costs. This means that more amplifiers are available toimplement a function at a given cost making design easier. At the same time the availab - AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C)PDF, 747 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 22 апр 2013
This application note describes the sine wave generation techniques to control frequency amplitude anddistortion levels. - AN-256 Circuitry for Inexpensive Relative Humidity Measurement (Rev. B)PDF, 262 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
Of all common environmental parameters humidity is perhaps the least understood and most difficult tomeasure. The most common electronic humidity detection methods albeit highly accurate are not obviousand tend to be expensive and complex (See Box). Accurate humidity measurement is vital to a number ofdiverse areas including food processing paper and lumber production pollution monitor - Get More Power Out of Dual or Quad Op-AmpsPDF, 91 Кб, Файл опубликован: 2 окт 2002
Модельный ряд
Серия: LF353-N (5)
Классификация производителя
- Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> General-Purpose Op Amps
