Datasheet Texas Instruments LM5113TME/NOPB — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | LM5113 |
| Модель | LM5113TME/NOPB |
Полумостовой драйвер затвора, 100 В, 1,2 А/5 А для GaN-транзисторов режима улучшения 12-DSBGA
Datasheets
LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.4 Мб, Версия: G, Файл опубликован: 14 окт 2015
Выписка из документа
 Купить LM5113TME/NOPB на РадиоЛоцман.Цены — от 101 до 3 360 233 ₽42 предложений от 17 поставщиков Полумостовой драйвер, питание 4.5В-5.5В, 5А на выходе, задержка26.5нс, DSBGA-12 | |||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | 177 ₽ | ||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | 181 ₽ | ||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | от 699 ₽ | ||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 12 |
| Package Type | YFX |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 5113 |
| Thickness (мм) | .42 |
| Pitch (мм) | .4 |
| Max Height (мм) | .675 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Bus Voltage | 90 В |
| Driver Configuration | Dual,Independent |
| Fall Time | 3.5 нс |
| Input Threshold | TTL |
| Input VCC(Max) | 5.5 В |
| Input VCC(Min) | 4.5 В |
| Количество каналов | 2 |
| Рабочий диапазон температур | от -40 до 125 C |
| Package Group | DSBGA |
| Package Size: mm2:W x L | See datasheet (DSBGA) PKG |
| Peak Output Current | 5 A |
| Power Switch | MOSFET,GaNFET |
| Prop Delay | 30 нс |
| Rating | Catalog |
| Rise Time | 7 нс |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: LM5113LLPEVB
LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: UCC27611OLEVM-203
UCC27611 Gate Driver Open Loop Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Design Considerations for LM5113 Advanced GaN FET Driver at High Frequency OperPDF, 572 Кб, Файл опубликован: 15 сен 2014
Design Considerations for LM5113 Advanced eGaN FET Driver at High Frequency Operation
Модельный ряд
Серия: LM5113 (5)
- LM5113SD/NOPB LM5113SDE/NOPB LM5113SDX/NOPB LM5113TME/NOPB LM5113TMX/NOPB
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В Solutions > GaN FET Drivers
