Datasheet Texas Instruments LM5113 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | LM5113 |
Полумостовой драйвер затвора, 100 В, 1,2 А/5 А для GaN-транзисторов в режиме улучшения
Datasheets
LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.4 Мб, Версия: G, Файл опубликован: 14 окт 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить LM5113 на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 3 404 176 ₽41 предложений от 24 поставщиков Полумостовой драйвер, питание 4.5В-5.5В, 5А на выходе, задержка26.5нс, DSBGA-12 | |||
| LM5113TMX/NOPB Texas Instruments | 63 ₽ | ||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | 142 ₽ | ||
| LM5113TMX/NOPB Texas Instruments | 224 ₽ | ||
| LM5113QDPRRQ1 Texas Instruments | от 503 ₽ | ||
Статус
| LM5113SD/NOPB | LM5113SDE/NOPB | LM5113SDX/NOPB | LM5113TME/NOPB | LM5113TMX/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет | Да | Да | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| LM5113SD/NOPB | LM5113SDE/NOPB | LM5113SDX/NOPB | LM5113TME/NOPB | LM5113TMX/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| Pin | 10 | 10 | 10 | 12 | 12 |
| Package Type | DPR | DPR | DPR | YFX | YFX |
| Industry STD Term | WSON | WSON | WSON | DSBGA | DSBGA |
| JEDEC Code | S-PDSO-N | S-PDSO-N | S-PDSO-N | R-XBGA-N | R-XBGA-N |
| Package QTY | 1000 | 250 | 4500 | 250 | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R | LARGE T&R | SMALL T&R | LARGE T&R |
| Маркировка | L5113 | L5113 | L5113 | 5113 | 5113 |
| Width (мм) | 4 | 4 | 4 | ||
| Length (мм) | 4 | 4 | 4 | ||
| Thickness (мм) | .75 | .75 | .75 | .42 | .42 |
| Pitch (мм) | .8 | .8 | .8 | .4 | .4 |
| Max Height (мм) | .8 | .8 | .8 | .675 | .675 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | LM5113SD/NOPB | LM5113SDE/NOPB | LM5113SDX/NOPB | LM5113TME/NOPB | LM5113TMX/NOPB |
|---|---|---|---|---|---|
| Bus Voltage, В | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 |
| Driver Configuration | Dual,Independent | Dual,Independent | Dual,Independent | Dual,Independent | Dual,Independent |
| Fall Time, нс | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 |
| Input Threshold | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL |
| Input VCC(Max), В | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 |
| Input VCC(Min), В | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 |
| Количество каналов | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 |
| Package Group | WSON | WSON | WSON | DSBGA | DSBGA |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | See datasheet (WSON) | See datasheet (WSON) | See datasheet (WSON) | See datasheet (DSBGA) | See datasheet (DSBGA) |
| Peak Output Current, A | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Power Switch | MOSFET,GaNFET | MOSFET,GaNFET | MOSFET,GaNFET | MOSFET,GaNFET | MOSFET,GaNFET |
| Prop Delay, нс | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| Rise Time, нс | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 |
Экологический статус
| LM5113SD/NOPB | LM5113SDE/NOPB | LM5113SDX/NOPB | LM5113TME/NOPB | LM5113TMX/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Application Notes
- Design Considerations for LM5113 Advanced GaN FET Driver at High Frequency OperPDF, 572 Кб, Файл опубликован: 15 сен 2014
Design Considerations for LM5113 Advanced eGaN FET Driver at High Frequency Operation
Модельный ряд
Серия: LM5113 (5)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Gallium Nitride (GaN)В Solutions> GaN FET Drivers
