Datasheet Texas Instruments LM5113-Q1 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | LM5113-Q1 |
Автомобильный полумостовой драйвер затвора, 100 В, 1,2 А/5 А для GaN-транзисторов в режиме улучшения
Datasheets
LM5113-Q1 100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.3 Мб, Файл опубликован: 19 мар 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить LM5113 на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 3 404 176 ₽41 предложений от 24 поставщиков Полумостовой драйвер, питание 4.5В-5.5В, 5А на выходе, задержка26.5нс, DSBGA-12 | |||
| LM5113TMX/NOPB Texas Instruments | 63 ₽ | ||
| LM5113TME/NOPB Texas Instruments | 149 ₽ | ||
| LM5113SDE/NOPB Texas Instruments | по запросу | ||
| LM5113TMX/NOPB Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| LM5113QDPRRQ1 | |
|---|---|
| Статус продукта | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| LM5113QDPRRQ1 | |
|---|---|
| N | 1 |
| Pin | 10 |
| Package Type | DPR |
| Industry STD Term | WSON |
| JEDEC Code | S-PDSO-N |
| Package QTY | 4500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | L5113Q |
| Width (мм) | 4 |
| Length (мм) | 4 |
| Thickness (мм) | .75 |
| Pitch (мм) | .8 |
| Max Height (мм) | .8 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | LM5113QDPRRQ1 |
|---|---|
| Bus Voltage, В | 90 |
| Driver Configuration | Dual Independent |
| Fall Time, нс | 3.5 |
| Input Threshold | TTL |
| Input VCC(Max), В | 5.5 |
| Input VCC(Min), В | 4.5 |
| Количество каналов | 2 |
| Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 |
| Package Group | WSON |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | See datasheet (WSON) |
| Peak Output Current, A | 5 |
| Power Switch | MOSFET,GaNFET |
| Prop Delay, нс | 30 |
| Rating | Automotive |
| Rise Time, нс | 7 |
Экологический статус
| LM5113QDPRRQ1 | |
|---|---|
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: LM5113-Q1 (1)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Gallium Nitride (GaN)В Solutions> GaN FET Drivers
