Datasheet Texas Instruments TLV2314QDRQ1 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TLV2314-Q1 |
Модель | TLV2314QDRQ1 |

3 МГц, маломощный, внутренний фильтр электромагнитных помех, RRIO, операционные усилители 8-SOIC от -40 до 125
Datasheets
Цены
![]() 30 предложений от 14 поставщиков , 3MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifiers 8-SOIC -40℃ to 125℃ | |||
TLV2314QDRQ1 Texas Instruments | 99 ₽ | ||
TLV2314QDRQ1 Texas Instruments | 104 ₽ | ||
TLV2314QDRQ1 | 2 816 ₽ | ||
TLV2314QDRQ1 Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | Анонсирован (Компонент анонсирован, но еще не запущен в серийное производство. Образцы могут быть как доступны, так и нет) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | D |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Width (мм) | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Additional Features | Cost Optimized EMI Hardened |
Архитектура | CMOS |
CMRR(Min)(dB) | 72 |
CMRR(Typ)(dB) | 96 |
GBW(Typ)(MHz) | 3 |
Iq per channel(Max)(mA) | 0.25 |
Iq per channel(Typ)(mA) | 0.15 |
Number of Channels(#) | 2 |
Offset Drift(Typ)(uV/C) | 2 |
Operating Temperature Range(C) | -40 to 125 |
Output Current(Typ)(mA) | 20 |
Package Group | SOIC |
Package Size: mm2:W x L (PKG) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
Rail-to-Rail | In Out |
Rating | Automotive |
Slew Rate(Typ)(V/us) | 1.5 |
Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10) | 5.5 |
Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10) | 1.8 |
Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) | 16 |
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV) | 3 |
Экологический статус
RoHS | Не совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Модельный ряд
Серия: TLV2314-Q1 (2)
- TLV2314QDGKRQ1 TLV2314QDRQ1
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > General-Purpose Op Amps