Datasheet Texas Instruments TLV2333 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TLV2333 |

Малошумящий RRIO, КМОП-операционный усилитель 350 кГц для экономически чувствительных систем
Datasheets
TLVx333 2-ОјV VOS, 0.02-ОјV/В°C, 17-ОјA, CMOS Operational Amplifiers Zero-Drift Series datasheet
PDF, 895 Кб, Файл опубликован: 18 дек 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 39 предложений от 18 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, Zero-Drift CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 8-VSSOP -40℃ to 125℃ | |||
TLV2333IDR Texas Instruments | от 24 ₽ | ||
TLV2333IDGKT Texas Instruments | 36 ₽ | ||
TLV2333IDGKR Texas Instruments | 69 ₽ | ||
TLV2333IDR Texas Instruments | от 141 ₽ |
Статус
TLV2333ID | TLV2333IDGKR | TLV2333IDGKT | TLV2333IDR | |
---|---|---|---|---|
Статус продукта | Анонсирован | В производстве | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Да | Нет | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
TLV2333ID | TLV2333IDGKR | TLV2333IDGKT | TLV2333IDR | |
---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 |
Pin | 8 | 8 | 8 | 8 |
Package Type | D | DGK | DGK | D |
Industry STD Term | SOIC | VSSOP | VSSOP | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
Width (мм) | 3.91 | 3 | 3 | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 | 3 | 3 | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 | .97 | .97 | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 | .65 | .65 | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 | 1.07 | 1.07 | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Package QTY | 2500 | 250 | 2500 | |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R | LARGE T&R | |
Маркировка | 12Z6 | 12Z6 | TLV233 |
Параметры
Parameters / Models | TLV2333ID![]() | TLV2333IDGKR![]() | TLV2333IDGKT![]() | TLV2333IDR![]() |
---|---|---|---|---|
Additional Features | Cost Optimized EMI Hardened Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift |
Approx. Price (US$) | 0.69 | 1ku | |||
Архитектура | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
CMRR(Min), дБ | 106 | 106 | 106 | |
CMRR(Min)(dB) | 106 | |||
CMRR(Typ), дБ | 130 | 130 | 130 | |
CMRR(Typ)(dB) | 130 | |||
GBW(Typ), МГц | 0.35 | 0.35 | 0.35 | |
GBW(Typ)(MHz) | 0.35 | |||
Input Bias Current(Max), pA | 130 | 130 | 130 | |
Input Bias Current(Max)(pA) | 130 | |||
Iq per channel(Max), мА | 0.028 | 0.028 | 0.028 | |
Iq per channel(Max)(mA) | 0.028 | |||
Iq per channel(Typ), мА | 0.017 | 0.017 | 0.017 | |
Iq per channel(Typ)(mA) | 0.017 | |||
Количество каналов | 2 | 2 | 2 | |
Number of Channels(#) | 2 | |||
Offset Drift(Typ), uV/C | 0.02 | 0.02 | 0.02 | |
Offset Drift(Typ)(uV/C) | 0.02 | |||
Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | |
Operating Temperature Range(C) | -40 to 125 | |||
Output Current(Typ), мА | 5 | 5 | 5 | |
Output Current(Typ)(mA) | 5 | |||
Package Group | SOIC | VSSOP | VSSOP | SOIC |
Package Size: mm2:W x L, PKG | 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | |
Package Size: mm2:W x L (PKG) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | |||
Rail-to-Rail | In Out | In,Out | In,Out | In,Out |
Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
Slew Rate(Typ), V/us | 0.16 | 0.16 | 0.16 | |
Slew Rate(Typ)(V/us) | 0.16 | |||
Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | |
Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10) | 5.5 | |||
Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | |
Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10) | 1.8 | |||
Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц | 55 | 55 | 55 | |
Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) | 55 | |||
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ | 0.015 | 0.015 | 0.015 | |
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV) | 0.015 |
Экологический статус
TLV2333ID | TLV2333IDGKR | TLV2333IDGKT | TLV2333IDR | |
---|---|---|---|---|
RoHS | Не совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Модельный ряд
Серия: TLV2333 (4)
Классификация производителя
- Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> General-Purpose Op Amps