Datasheet Texas Instruments TLV2622 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | TLV2622 |
800 мкА/канал, 11 МГц, RRO, низковольтный, двухканальный операционный усилитель
Datasheets
Family of Low-Power Wide Bandwidth Single Supply Op Amps with Shutdown datasheet
PDF, 1.4 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 14 янв 2005
Выписка из документа
Цены
 Купить TLV2622 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 227 ₽32 предложений от 24 поставщиков IC: операционный усилитель; 11МГц; 2,7÷5,5В; Ch: 2; VSSOP8; IB: 50пА | |||
| TLV2622IP Texas Instruments | 33 ₽ | ||
| TLV2622IP Texas Instruments | 40 ₽ | ||
| TLV2622IDGKR Texas Instruments | 73 ₽ | ||
| TLV2622IP Texas Instruments | 123 ₽ | ||
Статус
| TLV2622ID | TLV2622IDG4 | TLV2622IDGK | TLV2622IDGKG4 | TLV2622IDGKR | TLV2622IDR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Нет | Нет | Нет | Нет | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| TLV2622ID | TLV2622IDG4 | TLV2622IDGK | TLV2622IDGKG4 | TLV2622IDGKR | TLV2622IDR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Pin | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Package Type | D | D | DGK | DGK | DGK | D |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC | VSSOP | VSSOP | VSSOP | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 75 | 75 | 80 | 80 | 2500 | 2500 |
| Carrier | TUBE | TUBE | TUBE | TUBE | LARGE T&R | LARGE T&R |
| Маркировка | 2622I | 2622I | AKM | AKM | AKM | 2622I |
| Width (мм) | 3.91 | 3.91 | 3 | 3 | 3 | 3.91 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 | 3 | 3 | 3 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1.58 | 1.58 | .97 | .97 | .97 | 1.58 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 | .65 | .65 | .65 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 | 1.75 | 1.07 | 1.07 | 1.07 | 1.75 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | TLV2622ID | TLV2622IDG4 | TLV2622IDGK | TLV2622IDGKG4 | TLV2622IDGKR | TLV2622IDR |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Additional Features | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
| Approx. Price (US$) | 0.67 | 1ku | 0.67 | 1ku | ||||
| Архитектура | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| CMRR(Min), дБ | 78 | 78 | 78 | 78 | ||
| CMRR(Min)(dB) | 78 | 78 | ||||
| CMRR(Typ), дБ | 99 | 99 | 99 | 99 | ||
| CMRR(Typ)(dB) | 99 | 99 | ||||
| GBW(Typ), МГц | 11 | 11 | 11 | 11 | ||
| GBW(Typ)(MHz) | 11 | 11 | ||||
| Input Bias Current(Max), pA | 50 | 50 | 50 | 50 | ||
| Input Bias Current(Max)(pA) | 50 | 50 | ||||
| Iq per channel(Max), мА | 1 | 1 | 1 | 1 | ||
| Iq per channel(Max)(mA) | 1 | 1 | ||||
| Iq per channel(Typ), мА | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | ||
| Iq per channel(Typ)(mA) | 0.8 | 0.8 | ||||
| Количество каналов | 2 | 2 | 2 | 2 | ||
| Number of Channels(#) | 2 | 2 | ||||
| Offset Drift(Typ), uV/C | 3 | 3 | 3 | 3 | ||
| Offset Drift(Typ)(uV/C) | 3 | 3 | ||||
| Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | ||
| Operating Temperature Range(C) | -40 to 125 | -40 to 125 | ||||
| Output Current(Typ), мА | 28 | 28 | 28 | 28 | ||
| Output Current(Typ)(mA) | 28 | 28 | ||||
| Package Group | SOIC | SOIC | VSSOP | VSSOP | VSSOP | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | ||
| Package Size: mm2:W x L (PKG) | See datasheet (PDIP) | See datasheet (PDIP) | ||||
| Rail-to-Rail | In to V+,Out | In to V+,Out | In to V+ Out | In to V+ Out | In to V+,Out | In to V+,Out |
| Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| Slew Rate(Typ), V/us | 6 | 6 | 6 | 6 | ||
| Slew Rate(Typ)(V/us) | 6 | 6 | ||||
| Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | ||
| Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10) | 5.5 | 5.5 | ||||
| Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | ||
| Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10) | 2.5 | 2.5 | ||||
| Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц | 53 | 53 | 53 | 53 | ||
| Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) | 53 | 53 | ||||
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | ||
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV) | 3.5 | 3.5 |
Экологический статус
| TLV2622ID | TLV2622IDG4 | TLV2622IDGK | TLV2622IDGKG4 | TLV2622IDGKR | TLV2622IDR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- TLV262x EMI Immunity PerformancePDF, 88 Кб, Файл опубликован: 9 июн 2013
Модельный ряд
Серия: TLV2622 (6)
Классификация производителя
- Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> Precision Op Amps
