Datasheet Texas Instruments TLV333 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TLV333 |

Малошумящий RRIO, КМОП-операционный усилитель 350 кГц для экономически чувствительных систем
Datasheets
TLVx333 2-ОјV VOS, 0.02-ОјV/В°C, 17-ОјA, CMOS Operational Amplifiers Zero-Drift Series datasheet
PDF, 895 Кб, Файл опубликован: 18 дек 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 54 предложений от 20 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, 10MHz, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 5-SOT-23 -40℃ to 125℃ | |||
TLV333IDBVR Texas Instruments | от 16 ₽ | ||
TLV333IDCKR Texas Instruments | 49 ₽ | ||
TLV333IDR Texas Instruments | 62 ₽ | ||
TLV333IDCKR Texas Instruments | по запросу |
Статус
TLV333IDBVR | TLV333IDBVT | TLV333IDCKR | TLV333IDCKT | TLV333IDR | |
---|---|---|---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Да | Да | Нет | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
TLV333IDBVR | TLV333IDBVT | TLV333IDCKR | TLV333IDCKT | TLV333IDR | |
---|---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
Pin | 5 | 5 | 5 | 5 | 8 |
Package Type | DBV | DBV | DCK | DCK | D |
Industry STD Term | SOT-23 | SOT-23 | SOT-SC70 | SOT-SC70 | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
Package QTY | 3000 | 250 | 3000 | 250 | 2500 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R | LARGE T&R | SMALL T&R | LARGE T&R |
Маркировка | 12YD | 12YD | 12B | 12B | TLV333 |
Width (мм) | 1.6 | 1.6 | 1.25 | 1.25 | 3.91 |
Length (мм) | 2.9 | 2.9 | 2 | 2 | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.2 | 1.2 | .9 | .9 | 1.58 |
Pitch (мм) | .95 | .95 | .65 | .65 | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.45 | 1.45 | 1.1 | 1.1 | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | TLV333IDBVR![]() | TLV333IDBVT![]() | TLV333IDCKR![]() | TLV333IDCKT![]() | TLV333IDR![]() |
---|---|---|---|---|---|
Additional Features | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift | Cost Optimized,EMI Hardened,Zero Drift |
Архитектура | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
CMRR(Min), дБ | 106 | 106 | 106 | 106 | 106 |
CMRR(Typ), дБ | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 |
GBW(Typ), МГц | 0.35 | 0.35 | 0.35 | 0.35 | 0.35 |
Input Bias Current(Max), pA | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 |
Iq per channel(Max), мА | 0.028 | 0.028 | 0.028 | 0.028 | 0.028 |
Iq per channel(Typ), мА | 0.017 | 0.017 | 0.017 | 0.017 | 0.017 |
Количество каналов | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
Offset Drift(Typ), uV/C | 0.02 | 0.02 | 0.02 | 0.02 | 0.02 |
Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 | от -40 до 125 |
Output Current(Typ), мА | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
Package Group | SOT-23 | SOT-23 | SC70 | SC70 | SOIC |
Package Size: mm2:W x L, PKG | 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70) | 5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
Rail-to-Rail | In,Out | In,Out | In,Out | In,Out | In,Out |
Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
Slew Rate(Typ), V/us | 0.16 | 0.16 | 0.16 | 0.16 | 0.16 |
Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 |
Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 |
Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 |
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ | 0.015 | 0.015 | 0.015 | 0.015 | 0.015 |
Экологический статус
TLV333IDBVR | TLV333IDBVT | TLV333IDCKR | TLV333IDCKT | TLV333IDR | |
---|---|---|---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TLV333 (5)
Классификация производителя
- Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> General-Purpose Op Amps