Datasheet BS170 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.5 А, TO-92 — Даташит

Купить BS170 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.61 до 53 ₽ 81 предложений от 33 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 500 мА, 1.2 Ом, TO-92, Through Hole
727GS Весь мир	BS170RLRMG ON Semiconductor	от 1.88 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BS170_D75Z ON Semiconductor	8.60 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ BS170 Fairchild	34 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BS170-SMD (Philips-2N7002,215)	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.5 А, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
April 1995
BS170 / MMBF170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 500mA DC. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
• Pulse Current Idm: 1.2 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 20 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-92
• Маркировка: BS170
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Тип корпуса: TO-92
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)