Datasheet BAV199 - Infineon Даташит Диод, сдвоенный, низкий LEAKAGE, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BAV199
![]() 89 предложений от 39 поставщиков Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 85 В, 160 мА, 1.1 В, 3 мкс, 4.5 А | |||
BAV199-7-F Diodes | от 2.36 ₽ | ||
BAV199 Diotec | от 2.96 ₽ | ||
BAV199 NXP | по запросу | ||
BAV199B6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Диод, сдвоенный, низкий LEAKAGE, SOT-23
Краткое содержание документа:
BAV199...
Silicon Low Leakage Diode · Low-leakage applications · Medium speed switching times · Series pair configuration
BAV199 BAV199F
3
D 1
Спецификации:
- Diode Type: Small Signal
- Forward Current If(AV): 200 мА
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 75 В
- Forward Voltage VF Max: 1.1 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 3 нс
- Forward Surge Current Ifsm Max: 4.5 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Breakdown Voltage: 70 В
- Current If @ Vf: 50 мА
- Current Ifsm: 4.5 А
- Current Ir Max: 5 нА
- Прямой ток максимальный: 200 мА
- Forward Voltage: 1.25 В
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Peak Forward Current: 200 мА
- Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
- Reverse Recovery Time trr Typ: 0.6 мкс
- SMD Marking: Jys
- Способ монтажа: SMD
- Vr Ir Measurement Voltage: 70 В
RoHS: есть