Datasheet IRF5802TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 150 В, TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: IRF5802TRPBF
![]() 49 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 900 мА, 1.2 Ом, TSOP, Surface Mount | |||
IRF5802TRPBF Infineon | от 19 ₽ | ||
IRF5802TRPBF Infineon | от 32 ₽ | ||
IRF5802TRPBF Infineon | от 46 ₽ | ||
IRF5802TRPBF Infineon | от 395 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 150 В, TSOP-6
Краткое содержание документа:
PD- 94086
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters
IRF5802
HEXFET® Power MOSFET RDS(on) max 1.2@VGS = 10V ID
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 900 мА
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 5.5 В
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Код применяемости: SMPS
- Cont Current Id @ 25В°C: 900 мА
- Cont Current Id @ 70В°C: 0.7
- Current Id Max: 900 мА
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
- Тип корпуса: TSOP
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 7 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Voltage Vds: 150 В
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть