LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet IRF5802TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 150 В, TSOP-6 — Даташит

International Rectifier IRF5802TRPBF

Наименование модели: IRF5802TRPBF

42 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 900 мА, 1.2 Ом, TSOP, Surface Mount
IRF5802TRPBF,Nкан 150В 0.9А TSOP6/Micro6
Infineon
7.02 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRF5802TRPBF
Infineon
11 ₽
IRF5802TRPBF
Infineon
от 44 ₽
Akcel
Весь мир
IRF5802TRPBF
Infineon
от 49 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 150 В, TSOP-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 94086
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters
IRF5802
HEXFET® Power MOSFET RDS(on) max 1.2@VGS = 10V ID

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 900 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 150 В
  • On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 5.5 В
  • Корпус транзистора: TSOP
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Код применяемости: SMPS
  • Cont Current Id @ 25В°C: 900 мА
  • Cont Current Id @ 70В°C: 0.7
  • Current Id Max: 900 мА
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
  • Тип корпуса: TSOP
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 7 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
  • Voltage Vds: 150 В
  • Voltage Vds Typ: 150 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF5802TRPBF - International Rectifier MOSFET, N, 150 V, TSOP-6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России