Datasheet IRFL4105PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить IRFL4105PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 310 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V
T-electron Россия и страны СНГ	IRFL4105PBF Infineon	25 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRFL4105PBF International Rectifier	55 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRFL4105PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRFL4105PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95319
IRFL4105PbF
HEXFET® Power MOSFET
Surface Mount Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pickand-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface mount application.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 45 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Pulse Current Idm: 30 А
• SMD Marking: FL4105
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901