Datasheet International Rectifier IRF9Z24N — Даташит
| Производитель | International Rectifier |
| Серия | IRF9Z24N |
МОП-транзистор, 55 В, 12 А, ТО-220
Datasheets
Datasheet IRF9Z24N
PDF, 117 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 май 2020, Страниц: 9
HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Выписка из документа
 Купить IRF9Z24N на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 55 ₽27 предложений от 19 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 86Емкость, пФ:... | |||
| IRF9Z24N | 23 ₽ | ||
| IRF9Z24NS Infineon | по запросу | ||
| IRF9Z24NS | по запросу | ||
| IRF9Z24NS | по запросу | ||
Подробное описание
Характеристики:
- Непрерывный Ток Стока: 12 А
- Максимальный Ток Id: -12 А
- Текущая температура: 25 ° C
- Напряжение источника стока Vds: 55 В
- Полная мощность Номинальная температура: 25 ° C
- Теплостойкость перехода A в корпус: 3,3 ° C / Вт
- Расстояние между выводами: 2,54 мм
- Тип монтажа: Сквозное Отверстие
- Количество пинов: 3
- Количество транзисторов: 1
- На сопротивлении Rds (вкл): 172 МОм
- Упаковка / чехол: TO-220AB
- Конфигурация контактов: A
- Формат булавки: 1 г
- Рассеиваемая Мощность: 45 Вт
- Импульсный ток Idm: 48 А
- Rds (вкл) испытательное напряжение Vgs: -10 В
- SVHC: нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Порог Напряжение Vgs Тип: -4 В
- Стиль Корпуса Транзистора: TO-220AB
- Полярность транзистора: P канал
- Напряжение Vds Тип: -55 В
- Напряжение Vds: 55 В
- Максимальное напряжение Vgs: -4 В
- Напряжение Vgs Rds на измерение: -10 В
RoHS: да
Модельный ряд
Серия: IRF9Z24N (1)
Классификация производителя
- Single MOSFETs
