Datasheet IRF250 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-3 — Даташит

Купить IRF250 на РадиоЛоцман.Цены — от 87 до 3 024 ₽ 49 предложений от 25 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
727GS Весь мир	IRF250P225 Infineon	181 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF250P225 Infineon	209 ₽	Купить
DIP8.RU Россия и страны ТС	IRF250P225 Infineon	от 824 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	IRF250	970 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Provisional Data Sheet No.

PD-9.338D
HEXFET
®
JANTX2N6766 POWER MOSFET JANTXV2N6766 [REF:MIL-PRF-19500/543] [GENERIC:IRF250]
N-CHANNEL Product Summary

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 85 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 30 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: IRF250
• Fixing Centres: 30 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 11 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• Pulse Current Idm: 120 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Fischer Elektronik - FK 201SA-3
• Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5