Datasheet IRF250 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-3 — Даташит
Наименование модели: IRF250
![]() 50 предложений от 26 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; StrongIRFETTM; полевой; 250В; 49А; 313Вт | |||
IRF250P225 Infineon | от 897 ₽ | ||
IRF250P225 Infineon | по запросу | ||
IRF250----CALLREP Samsung | по запросу | ||
IRF250B/SIM Samsung | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3
Краткое содержание документа:
Provisional Data Sheet No.
PD-9.338D
HEXFET
®
JANTX2N6766 POWER MOSFET JANTXV2N6766 [REF:MIL-PRF-19500/543] [GENERIC:IRF250]
N-CHANNEL Product Summary
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 30 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: IRF250
- Fixing Centres: 30 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 11 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Pulse Current Idm: 120 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5