Datasheet International Rectifier IRF1010N — Даташит

Производитель	International Rectifier
Серия	IRF1010N
Модель	IRF1010N

МОП-транзистор HEXFET

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 222 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 23 ноя 2022, Страниц: 8
HEXFET Power MOSFET

Выписка из документа

Цены

Купить IRF1010N на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 5 872 ₽ 33 предложений от 23 поставщиков Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
ЧипСити Россия	IRF1010N International Rectifier	275 ₽
Augswan Весь мир	IRF1010N Infineon	по запросу
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF1010N/PBF	по запросу
ТаймЧипс Россия	IRF1010N*	по запросу

Подробное описание

Усовершенствованные силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET компании International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.

Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.

Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

Классификация производителя

Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single