Datasheet IRF6644TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN — Даташит
Наименование модели: IRF6644TR1
![]() 26 предложений от 17 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRF6644TR1 | 338 ₽ | ||
IRF6644TR1PBF Infineon | 483 ₽ | ||
IRF6644TR1PBF MOS() International Rectifier | по запросу | ||
IRF6644TR1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN
Краткое содержание документа:
PD - 96908E
IRF6644
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 10.3 МОм
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 2210 пФ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MN
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Pulse Current Idm: 82 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 42 нс
- SMD Marking: 6644
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.8 В
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IRF6644TR1PBF
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7