Источники питания Keen Side

Datasheet IRF6644TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN — Даташит

International Rectifier IRF6644TR1

Наименование модели: IRF6644TR1

26 предложений от 17 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
Контест
Россия
IRF6644TR1
338 ₽
ЧипСити
Россия
IRF6644TR1PBF
Infineon
483 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
IRF6644TR1PBF MOS()
International Rectifier
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRF6644TR1
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96908E
IRF6644
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 10.3 МОм
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 2210 пФ
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -40°C
  • Тип корпуса: MN
  • Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
  • Pulse Current Idm: 82 А
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 42 нс
  • SMD Marking: 6644
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4.8 В
  • Voltage Vds: 100 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IRF6644TR1PBF
  • LICEFA - V11-7-6-10
  • LICEFA - V11-7

На английском языке: Datasheet IRF6644TR1 - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET, MN

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка