Datasheet IRF6644TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN — Даташит

Купить IRF6644TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 97 до 1 345 ₽ 22 предложений от 17 поставщиков N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFETTM MN
Romstore Россия, Беларусь	IRF6644TR1PBF	от 450 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6644TR1PBF Infineon	от 1 345 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6644TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	IRF6644TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96908E
IRF6644
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 10.3 МОм
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 2210 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MN
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 82 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 42 нс
• SMD Marking: 6644
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.8 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF6644TR1PBF
• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7