Datasheet IRF5801TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, TSOP-6 — Даташит

Купить IRF5801TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 5.24 до 49 ₽ 53 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 600 мА, 2.2 Ом, TSOP, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	IRF5801TRPBF Infineon	5.24 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF5801TRPBF Infineon	8.59 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IRF5801TRPBF Infineon	от 43 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	IRF5801TRPBF Infineon	от 47 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, TSOP-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-94044A
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters
IRF5801
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 600 мА
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 2.2 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: SMPS
• Cont Current Id @ 25В°C: 600 мА
• Cont Current Id @ 70В°C: 0.48
• Current Id Max: 600 мА
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
• Тип корпуса: TSOP
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 4.8 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds: 200 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть