Datasheet IRF6614TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -96907B
IRF6614
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l l
Application Specific MOSFETs VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Lead and Bromide Free 40V max ±20V max 5.9m@ 10V 7.1m@ 4.5V Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ultra Low Package Inductance 19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8V Optimized for High Frequency Switching above 1MHz Ideal for CPU Core and Telecom Synchronous Rectification in DC-DC Converters Optimized for Control FET socket of Sync.

Buck Converter Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques DirectFET ISOMETRIC ST

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 55 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 8.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: ST
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 2560 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 5.5nC
• Current Id Max: 12.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 4.85 мм
• Внешняя длина / высота: 0.7 мм
• Внешняя ширина: 3.95 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• IC Package (Case style): ST
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 8.3 МОм
• Тип корпуса: ST
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Pulse Current Idm: 102 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 15 нс
• SMD Marking: 6614
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 40 В
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.25 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7