Datasheet IRF6603TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT — Даташит

International Rectifier IRF6603TR1

Наименование модели: IRF6603TR1

Купить IRF6603TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 3 413 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 27A
Romstore Россия, Беларусь	IRF6603TR1	от 411 ₽
727GS Весь мир	IRF6603TR1 Infineon	от 476 ₽
TradeElectronics Россия	IRF6603TR1 International Rectifier	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IRF6603TR1 Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HEXFET®
Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
IRF6603
Qg(typ.)

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 92 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 3.4 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Количество выводов: 7
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 6590 пФ
Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 60nC
Current Id Max: 27 А
Current Temperature: 25°C
External Depth: 6.35 мм
Внешняя длина / высота: 0.7 мм
Внешняя ширина: 5.05 мм
Full Power Rating Temperature: 25°C
IC Package (Case style): MT
Температура перехода максимальная: 125°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Количество транзисторов: 1
On State Resistance Max: 3.4 МОм
Тип корпуса: MT
Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
Pulse Current Idm: 200 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 45 нс
SMD Marking: 6603
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 2.5 В
Voltage Vgs th Min: 1.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7
Panasonic - EYGA121807A