Datasheet IRF6604TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MQ — Даташит
Наименование модели: IRF6604TR1
Купить IRF6604TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 3 917 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 12A 7Pin Direct-FET MQ T/R | |||
| IRF6604TR1 Infineon | от 19 ₽ | ||
| IRF6604TR1 Infineon | от 19 ₽ | ||
| IRF6604TR1,Nкан 30В 12А/49А DirectFET MQ International Rectifier | 3 917 ₽ | ||
| IRF6604TR1 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MQ
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
l
Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
VDSS
30V
RDS(on) max
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 59 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 7 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Корпус транзистора: MQ
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 2270 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 28nC
- Current Id Max: 12.5 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 6.35 мм
- Внешняя длина / высота: 0.7 мм
- Внешняя ширина: 5.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- IC Package (Case style): MQ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 11.5 МОм
- Тип корпуса: MQ
- Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
- Pulse Current Idm: 92 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 31 нс
- SMD Marking: 6604
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 7 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
