» Datasheets » Полевые транзисторы

Datasheet IRF6612TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Наименование модели: IRF6612TR1

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95842E
IRF6612/IRF6612TR1
RoHS compliant containing no lead or bromide Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with Existing Surface Mount Techniques
l l
DirectFETTM Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
• Корпус транзистора: MX
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 3970 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 190 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 19 нс
• SMD Marking: 6612
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7

На английском языке: Datasheet IRF6612TR1 - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Рекомендуемые материалы по теме:

• KS8721BLI TR
• MICRF620 TR
• BFG424F T/R PBF
• Datasheet Micrel MIC95410YFL TR
• Datasheet Central Semiconductor CMHZ4697 TR

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.