Datasheet IRF6612TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

Купить IRF6612TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 121 до 139 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 30V 136A 7Pin Direct-FET MX T/R
ЧипСити Россия	IRF6612TR1 International Rectifier	121 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6612TR1 International Rectifier	127 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6612TR1 Infineon	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	IRF6612TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95842E
IRF6612/IRF6612TR1
RoHS compliant containing no lead or bromide Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with Existing Surface Mount Techniques
l l
DirectFETTM Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
• Корпус транзистора: MX
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 3970 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 190 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 19 нс
• SMD Marking: 6612
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7