Datasheet IRF6620TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95823C
IRF6620
Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with Existing Surface Mount Techniques
l
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 2.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: MX
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 4130 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 13nC
• Current Id Max: 22 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.35 мм
• Внешняя длина / высота: 0.7 мм
• Внешняя ширина: 5.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• IC Package (Case style): MX
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 2.7 МОм
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 220 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 23 нс
• SMD Marking: 6620
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.45 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.45 В
• Voltage Vgs th Min: 1.55 В

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF6620TR1PBF
• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7