Datasheet IRF6613TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT — Даташит

Наименование модели: IRF6613TR1

Купить IRF6613TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 319 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Транзистор N-канальный 40V 150A 89W 0,0034R MT
Akcel Весь мир	IRF6613TR1PBF Infineon	от 46 ₽
Utmel Весь мир	IRF6613TR1 Infineon	от 56 ₽
Стандарт СИЗ Россия	IRF6613TR1PBF, Nкан 40В 23А DirectFET MT International Rectifier	64 ₽
МосЧип Россия	IRF6613TR1 International Rectifier	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95881B
IRF6613
l l l l l l l
Application Specific MOSFETs Ideal for Synchronous Rectification in Isolated DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 23 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3.4 МОм
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 5950 пФ
External Depth: 6.35 мм
Внешняя длина / высота: 0.7 мм
Внешняя ширина: 5.05 мм
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Тип корпуса: MT
Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
Pulse Current Idm: 180 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 38 нс
SMD Marking: 6613
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
Voltage Vds: 40 В
Voltage Vds Typ: 40 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7