Datasheet IRF5803TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, 40 В, 3.4 А, TSOP6 — Даташит
Наименование модели: IRF5803TRPBF
![]() 42 предложений от 23 поставщиков Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 3.4А 2Вт | |||
IRF5803TRPBF Infineon | от 6.05 ₽ | ||
IRF5803TRPBF Infineon | от 19 ₽ | ||
IRF5803TRPBF Infineon | от 28 ₽ | ||
IRF5803TRPBF Infineon | от 30 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, 40 В, 3.4 А, TSOP6
Краткое содержание документа:
PD-94015
IRF5803
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 112 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Код применяемости: LowR
- Cont Current Id @ 25В°C: 3.4 А
- Cont Current Id @ 70В°C: 2.7
- Current Id Max: -3.4 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
- Тип корпуса: TSOP
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 27 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Voltage Vds: 40 В
- Voltage Vds Typ: -40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть