HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IRF5803TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, 40 В, 3.4 А, TSOP6 — Даташит

International Rectifier IRF5803TRPBF

Наименование модели: IRF5803TRPBF

37 предложений от 18 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6
ЗУМ-СМД
Россия
IRF5803TRPBF
11 ₽
IRF5803TRPBF
от 11 ₽
IRF5803TRPBF
International Rectifier
6.13 ₽
ЧипСити
Россия
IRF5803TRPBF
International Rectifier
38 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, 40 В, 3.4 А, TSOP6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-94015
IRF5803
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 112 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: -3 В
  • Корпус транзистора: TSOP
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Код применяемости: LowR
  • Cont Current Id @ 25В°C: 3.4 А
  • Cont Current Id @ 70В°C: 2.7
  • Current Id Max: -3.4 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
  • Тип корпуса: TSOP
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 27 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Voltage Vds: 40 В
  • Voltage Vds Typ: -40 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF5803TRPBF - International Rectifier MOSFET, P, 40 V, 3.4 A, TSOP6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России