Datasheet IRL3705NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 89 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRL3705NSPBF
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 55V 89A | |||
IRL3705NSPBF Infineon | 89 ₽ | ||
IRL3705NSPBF Infineon | 159 ₽ | ||
IRL3705NSPBF Infineon | 171 ₽ | ||
IRL3705NSPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 89 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95381
Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Surface Mount (IRL3705NS) l Low-profile through-hole (IRL3705NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description
l l
IRL3705NSPbF IRL3705NLPbF
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 89 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 10 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 340mJ
- Capacitance Ciss Typ: 3600 пФ
- Current Iar: 46 А
- Current Id Max: 89 А
- Current Idss Max: 25 мкА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 15.49 мм
- Внешняя длина / высота: 4.69 мм
- Внешняя ширина: 10.16 мм
- Fall Time tf: 78 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.9°C/W
- N-channel Gate Charge: 98nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 10 МОм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 170 Вт
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 3.8 Вт
- Pulse Current Idm: 310 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 1.7mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 94 нс
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5