Datasheet IRF7501 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7501 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.29 до 147 ₽ 31 предложений от 21 поставщиков Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=2.4A@t=25C, 1.9A@t=70C, Rds=0.085 R@Vgs=4.5V, P=1.25W, -55 to +150C)
Стандарт СИЗ Россия	IRF7501TRPBF International Rectifier	9.29 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF7501TRPBF International Rectifier	12 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF7501TRPBF Infineon	36 ₽	Купить
Контест Россия	IRF7501	42 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 91265H PRELIMINARY
l l l l l l l
IRF7501
HEXFET® Power MOSFET
8 7

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: Micro8
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 135 МОм
• Pulse Current Idm: 19 А
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: F7501
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE903