Datasheet IRF7509TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NP — Даташит
Наименование модели: IRF7509TRPBF
Купить IRF7509TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 7.62 до 107 ₽ 45 предложений от 20 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 2.7 А, 0.11 Ом, µSOIC, Surface Mount | |||
IRF7509TRPBF,N/Pкан 30В 2.7/-2А Micro8 Infineon | 7.62 ₽ | ||
IRF7509TRPBF International Rectifier | 9.18 ₽ | ||
IRF7509TRPBF Infineon | 15 ₽ | ||
IRF7509TRPBF Infineon | от 29 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, NP
Краткое содержание документа:
PD - 95397
HEXFET® Power MOSFET
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Very Small SOIC Package l Low Profile (<1.1mm) l Available in Tape & Reel l Fast Switching l Lead-Free Description
l l
S1 G1 S2 G2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 110 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Корпус транзистора: µSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Cont Current Id N Channel: 2.7 А
- Cont Current Id P Channel: 2 А
- Current Id Max: 2.7 А
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 900 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 170 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 140 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 300 МОм
- Тип корпуса: Micro8
- Pulse Current Idm N Channel: 21 А
- Pulse Current Idm P Channel: 16 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds P Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть