Datasheet IRF5851TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, TSOP-6 — Даташит

Купить IRF5851TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 564 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP / Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.7A/2.2A 6-Pin TSOP T/R
Элитан Россия	IRF5851TRPBF	32 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF5851TRPBF,N/Pкан 20/-20В 2.7/-2.2А TSOP6/Micro6 International Rectifier	564 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF5851TRPBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF5851TRPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, TSOP-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-93998B
IRF5851
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 1.25 В
• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: LowR
• Cont Current Id N Channel: 2.7 А
• Cont Current Id P Channel: 2.2 А
• Current Id Max: 2.7 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
• On State Resistance Channel 1: 90 МОм
• On State Resistance P Channel 2: 135 МОм
• Тип корпуса: TSOP
• Power Dissipation Pd: 960 мВт
• Pulse Current Idm: 9 А
• Pulse Current Idm N Channel: 11 А
• Pulse Current Idm P Channel: 9 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.25 В
• Voltage Vds N Channel 1: 20 В
• Voltage Vds P Channel 1: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A