Datasheet IRF5850TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, P, TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: IRF5850TRPBF
![]() 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | |||
IRF5850TRPBF Infineon | 8.97 ₽ | ||
IRF5850TRPBF | по запросу | ||
IRF5850TRPBF Infineon | по запросу | ||
IRF5850TRPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, P, TSOP-6
Краткое содержание документа:
PD - 93947A
IRF5850
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 135 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
- Power Dissipation Pd: 960 мВт
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -2.2 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5 °C/Вт
- Тип корпуса: TSOP
- Способ монтажа: SMD
- Код применяемости: LowR
- Cont Current Id @ 25В°C: 2.2 А
- Cont Current Id @ 70В°C: 1.8
- Pulse Current Idm: 9 А
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Max: -1.2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть